全國服務熱線：
400-600-3293
PECVD系統(tǒng)由管式爐,石英真空管、真空系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)等組成。 PECVD 系統(tǒng)主要應用于金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復合薄膜,石墨烯等生長。 洛陽西格馬可生產1200度實驗用小型PECVD、1200度實驗用雙溫區(qū)管式爐小型PECVD、低真空CVD系統(tǒng)、等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)。
PECVD系統(tǒng)與CVD有什么區(qū)別？
氣相沉積法化學氣相沉積(CVD)是半導體工業(yè)中應用*為廣泛的用來沉積多種材 料的技術， 包括大范 圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。
CVD 技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓 CVD(LPCVD)，常壓 CVD(APCVD)，亞常壓 CVD(SACVD)，超高真空 CVD(UHCVD)，等離子體增強 CVD(PECVD)，高密度等離子體 CVD(HDPCVD) 以及快熱 CVD(RTCVD)。
PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
PVD和熱錨點CVD相比，PECVD可以在相對較低的溫度（小于350℃）下沉積出高均勻性薄膜。此外，對于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉積，等離子沉積技術提供了優(yōu)秀的薄膜性能控制（折射率、硬度等）。
1200度實驗用小型PECVD系統(tǒng)用途
1200度實驗用小型PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
1200度實驗用小型PECVD系統(tǒng)系統(tǒng)配置；
1、1200度開啟式滑動單溫區(qū)真空管式爐
2、等離子射頻電源
3、多路質量流量控制系統(tǒng)
4、真空系統(tǒng)（單獨購買）
1200度實驗用小型PECVD系統(tǒng)特性：
可實現(xiàn)手動滑動或自動滑動、氣路數(shù)量2-5可選擇；溫度范圍寬；濺射區(qū)域長；整管可調；精致小巧，性價比高，可實現(xiàn)快速升降溫，是實驗室生長薄膜石墨烯，陶瓷薄膜，金屬薄膜，復合薄膜等的不錯的選擇，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
公司地址：洛陽高新區(qū)河洛路瑞澤大廈912室
手機：13526905785 / 13333877007
電話：0379-63082510/63082512
郵箱：sgm@sigmajt.com
豫公網安備41030502001069號
防范電信網絡詐騙